簡要描述:ZTD-800B單晶硅爐為生產(chǎn)太陽能電池用的單晶爐,坩堝尺寸18-22英寸,產(chǎn)量從60-130Kg,單晶硅棒直徑6.5-8英寸,設(shè)備高度為6.1-6.7米,主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒。
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品牌 | 廈門地坤 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
ZTD-800B單晶硅爐
ZTD-900B單晶硅爐
ZTD-950B單晶硅爐
技術(shù)參數(shù):
型號 | 名稱 | 額定功率 | 額定溫度 | 主爐室尺寸 | 熔料重量 |
ZTD-800B | 單晶硅爐 | 140KW | 1600℃ | 800×1050mm | 60KG |
ZTD-900B | 單晶硅爐 | 160KW | 1600℃ | 900×1050mm | 90KG |
ZTD-950B | 單晶硅爐 | 180KW | 1600℃ | 950×1050mm | 130KG |
設(shè)備用途:
ZTD-800B單晶硅爐為生產(chǎn)太陽能電池用的單晶爐,坩堝尺寸18-22英寸,產(chǎn)量從60-130Kg,單晶硅棒直徑6.5-8英寸,設(shè)備高度為6.1-6.7米,主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒。
本公司可提供生長工藝,保證生長出合格的單晶硅。設(shè)有樣機,歡迎來人參觀考察。
ZR-12-10實驗用中溫真空爐
詳細(xì)描述:
采用箱式爐結(jié)構(gòu)爐柜一體化設(shè)計,適用高??蒲袉挝贿M行材料的真空或保護氣氛下的熱處理,爐內(nèi)設(shè)有一耐熱鋼爐罐,罐內(nèi)安裝有料臺及保溫層。
主要參數(shù)如下:
1.額定功率:12kw
2.爐罐內(nèi)尺寸:160*250*400mm
3.高溫度:1000度
4.極限真空度:<10Pa
ZR-12-11真空電阻加熱爐
設(shè)備用途:
本設(shè)備是用鎳鉻合金絲作發(fā)熱元件的實驗用內(nèi)熱式真空熱處理爐,爐體與控制柜一體化結(jié)構(gòu),臥式爐體,側(cè)面打開爐門,適用于金屬材料在高真空、中溫條件下進行回火、退火、釬焊、燒結(jié)、除氣處理,同時也適于金屬化合物的真空熱處理用。
設(shè)備特點:
整個設(shè)備為方形箱體結(jié)構(gòu),臥式爐體,裝取料方便;所有動作操作均在爐體正面操作完成,操作方便,集控制柜與爐體一體化結(jié)構(gòu),占地小,節(jié)約占地面積;耗水量少,使用方便,用戶只要水、電齊全就可以直接使用,集成安裝水、電、氣接口。
主要技術(shù)參數(shù):
1、額定功率:12KW
2、額定使用溫度:1100℃(氣氛保護下)
3、大有效加熱空間:Φ120×200㎜
4、冷態(tài)極限真空度:5×10-4 Pa
5、壓升率:≤2.0 Pa/h
6、電源:380V/50Hz
7、充氣介質(zhì):氬氣、氮氣或少量氫氣
8、大充氣壓力:<0.03MPa
9、控溫精度:±1℃
ZT-50-16晶體退火爐
用途:
真空晶體退火爐是用石墨作發(fā)熱元件的立式實驗用真空電阻爐,爐底裝料電動升降,供金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛中燒結(jié)制品。
技術(shù)參數(shù):
1、型式:立式,底盤下沉
2、額定功率:50±10%Kw
3、電源電壓:三相 380V 50Hz
4、高溫度:1600℃
5、工作區(qū)尺寸:Φ300×300
6、升溫速率:15℃/min
7、恒溫區(qū)溫度均勻性:≤±10℃(1400℃)
8、冷態(tài)極限真空度:6.67×10-3Pa
9、工作真空度(空爐):5×10-2Pa
10、壓升率:≤2Pa/h
11、1路充氣管路,充氣冷卻
12、充氣壓力:<0.03MPa(相對壓力)
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